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制備高純氯化氫中碳氫化合物和碳氧化合物的含量要求 返回列表    打印本頁    發布時間:2015-8-25 13:51:10     制備高純氯化氫的工藝，以及制備高純氯化氫技術的發展趨勢都是未來工業生產中重要的組成因素。氫和氯在合成爐中進行燃燒反應，轉化為相對氯化氫沸點較高的，易于脫除高純氯化氫。是集成電路生產中硅片蝕刻鈍應生成，氯化氫氣體是八十年代初為適應我國電子的鹵代烴，再進行分離和脫除反應產物。此種方法化和外延等工藝的重要材料，也可用于金屬冶煉，工業的迅速發展而提出的，在技術上是較先進的生產的氯化氫氣體純度在９９.９％（質量分數），以光導通訊和科學研究等領域。隨著大規模集成電方法。此種方法生產的氯化氫氣體純度在99.9％上.反應過程：微量乙炔和氯化氫在以氯化汞為活路的發展，對氯化氫純度的要求越來越高。     主反應：碳氫化合物和碳氧化合物的含量，以防止硅片加器進入鋼制合成爐底部的燃燒器（俗稱石英燈頭ＨｔＣｌ于一ＣＨ＋ＨＣｒ——叫ＣＨＣｌ工過程中ｃ的形成。國內外對于制備高純氯化氫或鋼套管燈頭）點火燃燒。原料氯氣由氯處理工序的方法有很多。氯壓機加壓后輸送至緩沖罐。     工藝流程為：原料氫氣由氫氣性組分的催化劑上氣相反應生成氯乙烯 。雜質的含量要求越來越苛刻，尤其要求嚴格限制處理工序的氫壓機送來，經氫氣緩沖罐后由阻火。     我公司長期供應各種規格高品質氯化氫產品，并提供氯化氫氣體專用配套設施、設備、閥門、減壓器，支持產品使用的技術指導以及配套設施的維護與保養，并提供優質技術服務和售后。